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黄光区设备

HMDS涂胶系统

在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这造成光刻胶和硅片的黏合性较差,尤其是正胶,显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处,容易造成漂条、浮胶等,导致光刻图形转移的失败,同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。

  • 产品信息

HMDS涂胶系统

产品特点:
1、机外壳采用不锈钢316L材质制造,内胆为不锈钢316L材料制成;加热器均匀分布在内胆外壁四周,内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。
2、箱门闭合松紧能调节,整体成型的硅橡胶门封圈,确保箱内高真空度。
3、微电脑智能控温仪,具有设定,测定温度双数字显示和PID自整定功能,控温精确,可靠。
4、智能化触摸屏控制系统配套PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序,温度,真空度及每一程序时间。
5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计,真空箱密封性能佳,确保HMDS气体无外漏顾虑。
6、整个系统采用优质材料制造,无发尘材料,适用100 级光刻间净化环境。  

产品技术参数:
电源电压:AC 380V±10%/50Hz±2%
输入功率:3000W
控温范围:室温+10℃-250℃
温度分辨率:0.1℃
温度波动度:±0.5℃
达到真空度:133Pa
容积:90L
工作室尺寸(mm):450*450*450
载物托架:2块
时间单位:分钟


HMDS 预处理系统的必要性:
在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这造成光刻胶和硅片的黏合性较差,尤其是正胶,显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处,容易造成漂条、浮胶等,导致光刻图形转移的失败,同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后,经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水,其疏水基可很好地与光刻胶结合,起着偶联剂的作用。 
   HMDS系列预处理系统的原理:
预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS,降低了HMDS处理后的硅片接触角,降低了光刻胶的用量,提高光刻胶与硅片的黏附性。
   

HMDS预处理系统的一般工作流程:
首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为:打开真空泵抽真空,待腔内真牢度达到某一高真空度后,开始充人氮气,充到达到某低真空度后,再次进行抽真空、充入氮气的过程,到达设定的充入氮气次数后,开始保持一段时间,使硅片充分受热,减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空,充入HMDS气体,在到达设定时间后,停止充入HMDS药液,进入保持阶段,使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后,再次开始抽真空。充入氮气,完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图:首先加热到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS与表面的OH一反应,在硅片表而生成硅醚,消除氢键作,从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。
    

尾气排放等:多余的HMDS蒸汽(尾气)将由真空泵抽出,排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。


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